STI200N6F3

STI200N6F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I2PAK（TO-262）封装，专为需要高电流处理能力和高效率功率转换的应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的沟槽栅极设计，在保证高可靠性的前提下，显著降低了传导损耗，从而提升了整体系统的能效表现。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达60V，为系统提供了充足的电压裕量，增强了在瞬态电压下的鲁棒性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达120A，展现出强大的电流承载能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、60A漏极电流的典型工作条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为3.8毫欧，这一极低的导通阻抗是降低功率损耗、减少发热的核心因素。其栅极电荷（Qg）典型值为101nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于实现快速开关并降低驱动电路的损耗，适用于中高频开关应用。

在接口与热性能方面，该器件采用标准的三引脚I2PAK封装，便于在功率板上进行通孔焊接，提供稳固的机械连接和良好的散热路径。其最大栅源电压（Vgs）范围为±20V，为栅极驱动设计提供了灵活性。器件的热设计能力同样出色，在壳温条件下最大功率耗散可达330W，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C），确保了在苛刻环境下的长期稳定运行。对于需要获取此型号技术资料或库存支持的开发者，可以咨询专业的ST芯片代理以获取详细信息。

凭借高电流、低导通电阻和稳健的封装特性，STI200N6F3非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括工业电源中的同步整流、DC-DC转换器中的开关元件、电机驱动控制电路以及不间断电源（UPS）系统中的功率开关。其设计能够有效提升终端产品的能效等级，并简化热管理设计的复杂度。

• 型号:STI200N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:101 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6265 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI200N6F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用I2PAK（TO-262）通孔封装，核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的功率损耗。

其关键电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和高达120A（Tc）的连续漏极电流额定值。最突出的特性是在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至3.8毫欧（@60A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其330W（Tc）的最大功率耗散能力和-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了其在严苛功率应用中的可靠性与稳定性。