STI21NM60ND

STI21NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I2PAK封装，专为高电压、高效率的功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，这一平衡是实现低开关损耗和高能效的关键。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在工业级AC线路电压应用中的高可靠性。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）额定值为17A，支持较高的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、8.5A漏极电流条件下典型值仅为220毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的导通损耗和发热。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在60nC（@10V），结合1800pF的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，从而优化高频开关性能。

在接口与热参数方面，该器件采用标准的三引脚I2PAK通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力。其最大栅源电压（Vgs）为±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。阈值电压Vgs(th)最大值为5V，具备良好的噪声抑制能力。器件的最大功率耗散为140W（壳温条件下），结合高达150°C的最大结温（TJ），赋予了其稳健的热性能，适合在环境要求严苛的场合下工作。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关技术资料与库存信息。

凭借600V的耐压、17A的电流能力以及FDmesh II技术带来的优异效率，STI21NM60ND非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。其典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及电焊机等高性能电力电子设备。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续升级型号提供了重要参考。

• 型号:STI21NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI21NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至220毫欧（@8.5A），有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值60nC @10V）和输入电容有助于实现快速开关，提升系统整体效率。该器件设计结温高达150°C，功率耗散能力为140W，确保了在严苛环境下的稳定运行。