STI30NM60N

STI30NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。其核心设计旨在实现高开关效率与低传导损耗的平衡，这对于提升功率转换系统的整体能效至关重要。该芯片采用通孔I2PAK（TO-262）封装，提供了良好的机械强度和散热能力，便于在工业级应用中实现可靠的安装与热管理。

在电气性能方面，这款MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业电机驱动、开关电源等场合中常见的电压应力和开关尖峰。其在壳温（T_C）25°C下的连续漏极电流（I_D）额定值为25A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、12.5A漏极电流条件下典型值仅为130毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极总电荷（Q_g）典型值为91nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关速度。

该器件的栅源阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫性，而栅源电压（V_GS）可承受±30V的范围，提供了宽裕的驱动安全余量。其最大结温（T_J）高达150°C，配合190W（T_C）的功率耗散能力，赋予了产品在严苛热环境下的稳定运行潜力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询，以获取正品保障和完整的供应链服务。

综合其高耐压、大电流、低导通电阻及稳健的封装特性，STI30NM60N非常适用于对可靠性和效率有较高要求的功率电子领域。典型应用场景包括工业电机驱动与变频器、开关模式电源（SMPS）的PFC和主开关电路、不同断电源（UPS）以及电焊机等功率转换设备。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有系统设计、维护或特定批量的应用中，它依然是一个经过市场验证的高性能解决方案，体现了MDmesh II系列在高压功率开关领域的经典设计价值。

• 型号:STI30NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI30NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用I2PAK（TO-262）通孔封装，核心电气参数包括600V的漏源电压（V_DSS）和25A（T_C）的连续漏极电流额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势在于实现了优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至130毫欧（@12.5A），能有效降低功率损耗。同时，91nC（@10V）的较低栅极电荷（Q_g）有助于提升开关速度并减少驱动损耗。这些特性使其成为追求高效率与可靠性的功率转换系统的理想选择。