STI42N65M5

STI42N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I2PAK封装，专为高电压、高功率应用而设计，旨在提供卓越的开关性能和导通效率。其核心架构通过优化的单元设计和专利的超结技术，在单一芯片上实现了高击穿电压与低导通电阻的出色平衡，这对于提升系统整体能效和功率密度至关重要。

该MOSFET具备多项关键电气特性。高达650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换及电机驱动中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值达33A，支持处理可观的功率流。更值得关注的是其导通电阻表现，在10V栅极驱动电压、16.5A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为79毫欧，这一低导通损耗特性直接转化为更低的热耗散和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在100nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关速度。

在接口与参数方面，该器件设计稳健。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了宽裕的安全工作裕量。最大功率耗散能力为190W（Tc），结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了其在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取相关产品信息与库存状态。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在进行新设计选型时需评估替代方案或现有库存的可用性。

凭借其高耐压、大电流和低损耗的特点，STI42N65M5非常适用于要求严苛的功率电子应用场景。典型应用包括工业电源中的功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、以及变频器和伺服驱动器中的电机控制桥臂。在这些应用中，它能够有效提升能源转换效率，减少散热需求，并增强系统在高压环境下的长期运行稳定性。

• 型号:STI42N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI42N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与33A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与良好开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为79毫欧 @ 16.5A，有助于显著降低导通期间的功率损耗。同时，最大100nC的栅极电荷（Qg）有利于实现高效的开关操作，减少开关损耗。这些参数使其成为提升电源和电机驱动系统能效的关键元件。