STI57N65M5

STI57N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I2PAK（TO-262）封装，专为高电压、大电流的开关应用而设计，在功率转换系统的效率和可靠性方面表现出色。

其核心架构采用了意法半导体标志性的MDmesh V多外延层垂直结构。这种结构通过优化单元密度和电荷平衡，在保持高击穿电压的同时，显著降低了导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_G）。具体而言，该器件在10V栅极驱动电压、21A漏极电流条件下，导通电阻典型值仅为63毫欧，而栅极总电荷（Q_g）典型值低至98nC。这种低R_DS(on)与低Q_g的出色组合，直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，对于提升系统整体效率至关重要。

在电气参数方面，STI57N65M5具备650V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达42A（壳温T_C=25°C时）的连续漏极电流能力，展现了强大的功率处理潜能。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V，并支持高达±25V的栅源电压，这为驱动电路的设计提供了充足的余量和灵活性。此外，器件在壳温条件下最大功耗可达250W，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取相关服务与产品信息。

得益于其高性能特性，该MOSFET非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、UPS（不间断电源）系统的功率转换模块、电机驱动和变频器中的逆变桥臂，以及电焊机等高性能工业设备。其I2PAK封装提供了良好的机械强度和散热性能，便于在功率板上进行安装和热管理。

• 型号:STI57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI57N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh V技术，封装形式为I2PAK（TO-262）。该器件核心优势在于其优异的开关性能与功率处理能力平衡，其650V的漏源电压和42A的连续漏极电流为高压大电流应用提供了坚实基础。

其技术亮点表现为极低的导通电阻（63mΩ @10V, 21A）与栅极电荷（98nC @10V），这一组合能有效降低导通损耗与开关损耗，从而提升系统整体能效。器件支持宽泛的栅极驱动电压（±25V），并在-55°C至150°C的结温范围内保持稳定工作，适用于对可靠性和效率有严苛要求的工业环境。