STI5N52U

STI5N52U是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的UltraFASTmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET工艺，通过优化的单元结构设计，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心架构旨在为高压开关应用提供快速、高效的功率转换能力，内部寄生电容经过精心调校，有助于降低开关过程中的损耗和电压应力，提升系统整体可靠性。

该器件具备525V的高漏源击穿电压（Vdss），为离线式电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统在浪涌和瞬态过压情况下的鲁棒性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，结合最大仅16.9nC的栅极总电荷（Qg），使得开关转换过程既快速又高效，能显著降低开关损耗，尤其适用于高频工作的开关电源拓扑。其栅极阈值电压（Vgs(th)）设计适中，确保了驱动的便利性与抗干扰能力的平衡，而±30V的最大栅源电压则为栅极驱动电路的设计提供了灵活性。

STI5N52U采用坚固的I2PAK（TO-262）通孔封装，该封装具有良好的热性能和机械强度，其外壳与漏极相连。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4.4A，最大功耗为70W，结合低至1.5欧姆的导通电阻，使其能够在中小功率段有效处理持续的功率耗散。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了器件在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的ST授权代理获取该产品的技术资料与库存信息。

凭借其高压、快速开关和良好的热特性，这款MOSFET非常适合应用于需要高效功率管理的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动和逆变器中的辅助电源或驱动级。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备维护或特定长期供货项目中，它仍然是一个经过市场验证的高可靠性选择。

• 型号:STI5N52U
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI5N52U是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能UltraFASTmesh产品系列。该器件采用I2PAK封装，核心规格包括525V的漏源电压（Vdss）和4.4A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的开关性能与导通特性的结合上。在10V栅极驱动下，其栅极电荷（Qg）最大值仅为16.9nC，配合优化的导通电阻，能够实现快速开关并有效降低开关损耗，提升系统效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和70W的功率耗散能力，确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。