STK38N3LLH5

STK38N3LLH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用创新的PolarPak封装，这是一种专为优化热性能和电气性能而设计的表面贴装封装。其核心架构旨在实现极低的导通损耗和出色的开关效率，通过优化的单元结构和先进的沟槽栅工艺，在紧凑的尺寸内实现了高电流密度和低栅极电荷的平衡。

该MOSFET的显著特性包括30V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达38A的连续漏极电流能力。其导通电阻（Rds(on)）极低，在10V栅源驱动电压（Vgs）和19A漏极电流条件下，最大值仅为1.55毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统能效。其栅极驱动特性经过优化，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，确保了与标准逻辑电平控制信号的兼容性，同时最大栅极电荷（Qg）在4.5V Vgs下仅为41.7nC，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与关键参数方面，该器件支持±22V的最大栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕量。其输入电容（Ciss）在25V Vds下最大为4640pF，结合低Qg特性，共同决定了其快速的开关响应速度。器件的热设计考虑了高功率应用，最大功率耗散为5.2W（Tc），并且结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关服务与资源。

凭借其高性能指标，STK38N3LLH5非常适用于对效率和功率密度有苛刻要求的应用场景。它常被用作同步整流器、电机驱动中的H桥下管、以及DC-DC转换器中的主开关管，特别是在服务器电源、通信设备电源、电动工具和电池管理系统（BMS）等中低电压、大电流的开关电源和功率控制电路中。其PolarPak封装优异的散热特性，使其在空间受限且散热挑战大的设计中尤其具有价值。

• 型号:STK38N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PolarPak
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 38A POLARPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.55 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4640 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PolarPak
• 封装/外壳:PolarPak
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STK38N3LLH5是ST意法半导体推出的一款采用PolarPak封装的N沟道功率MOSFET，属于其高性能STripFET V产品系列。该器件设计用于在30V的漏源电压下处理高达38A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs条件下典型值仅为1.55毫欧，这能显著降低功率损耗并提升整体系统效率。

此外，该MOSFET具备优异的开关特性，其栅极电荷（Qg）低至41.7nC，有助于实现高速开关并减少驱动损耗。器件支持宽范围的工作温度（-55°C至150°C结温）和逻辑电平驱动兼容性（Vgs(th)最大2.5V），使其成为空间紧凑、要求高可靠性的中低压、大电流功率转换和电机控制应用的理想选择。