STL100N12F7

STL100N12F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F7技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和创新的沟槽栅工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻与栅极电荷的卓越平衡。其核心优势在于显著降低了传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。该芯片采用热增强型表面贴装PowerFlat（5x6）封装，不仅提供了优异的电气性能，其紧凑的占板面积和低剖面高度也使其非常适合于空间受限的高密度应用设计。

在电气特性方面，该MOSFET具备120V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在常见48V或更高母线电压系统中的可靠工作余量。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下典型值仅为7.5毫欧（@9A），这一极低的数值直接转化为更低的导通压降和功率损耗，尤其在处理大电流时优势明显。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在46nC（@10V），结合适中的输入电容，意味着它所需的驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并实现更高的开关频率，从而减小系统中磁性元件的体积和成本。其结温（TJ）工作范围宽达-55°C至175°C，结合136W（Tc）的功率耗散能力，赋予了产品强大的热可靠性和鲁棒性。

该器件的接口特性清晰明确，标准N沟道增强型MOSFET的配置使其易于驱动和控制。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，而推荐的驱动电压为10V，这为获得最低导通电阻提供了保障，同时其栅源电压最大可承受±20V，提供了充足的驱动安全裕度。对于需要稳定可靠供应链的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取原装正品和技术支持。这些优异的参数使其成为对效率和功率密度有严苛要求的现代电源方案的理想选择。

基于其高性能表现，STL100N12F7非常适用于高效率DC-DC转换器、电机驱动控制器、不间断电源（UPS）以及电动工具和轻型电动汽车中的功率开关等应用场景。在这些领域中，其低导通电阻有助于提升系统在重载条件下的效率，而快速的开关特性则优化了轻载效率并降低了电磁干扰（EMI）。无论是用于同步整流拓扑的下桥臂，还是作为电机H桥中的核心开关元件，它都能显著提升系统的整体能效和功率密度，满足日益增长的节能环保需求。

• 制造商产品型号：STL100N12F7
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F7
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：120V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 9A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：46nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3300pF @ 60V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：136W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：PowerFlat（5x6）
• 想获取STL100N12F7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL100N12F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在120V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了极低的导通电阻（典型值7.5mΩ @10V, 9A）与栅极电荷（最大值46nC @10V）的优化组合，旨在最大限度地降低传导与开关损耗。

其连续漏极电流（Id）在壳温条件下可达100A，结合136W（Tc）的功率耗散能力和宽达-55°C至175°C的结温工作范围，确保了在高功率应用中的可靠运行。器件采用热性能优异的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，为空间紧凑的高效率电源转换、电机驱动及各类工业电源系统提供了高功率密度的解决方案。