STL13N60M2

STL13N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，这一核心架构使其在高频开关应用中能显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体能效。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，确保了在工业级AC-DC变换、电机驱动等高压环境下的可靠运行。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为420毫欧（在4.5A条件下），这意味着在导通期间产生的热量更少，功率转换效率更高。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至17nC，结合580pF的输入电容（Ciss），使得开关速度更快，驱动电路的设计更为简化，有助于降低开关噪声并提升系统频率。

在接口与关键参数方面，该器件采用表面贴装型的PowerFlat HV（5x6）封装，这种紧凑的封装形式不仅优化了散热性能，其低外形轮廓也节省了宝贵的PCB空间，非常适合高功率密度设计。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达7A，最大结温（Tj）高达150°C，展现了强大的电流处理能力和高温工作稳定性。此外，±25V的栅源电压（Vgs）范围提供了坚固的栅极保护，增强了抗干扰能力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取此型号及相关设计资源。

基于其高性能规格，STL13N60M2非常适合应用于要求高效率和高可靠性的场景。其主要应用领域包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动与逆变器，以及各类辅助电源和适配器。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并凭借其稳健的设计确保长期稳定运行。

• 型号:STL13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:55W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL13N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与7A的连续漏极电流（Id）能力，结合低至420毫欧的导通电阻（Rds(on)），为高压大电流应用提供了高效的功率开关解决方案。

其技术亮点还包括极低的栅极电荷（Qg，最大值17nC）和输入电容，这显著降低了开关损耗，支持更高频率的开关操作。器件采用节省空间的PowerFlat HV表面贴装封装，最大结温可达150°C，确保了在紧凑设计和严苛热环境下的可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业逆变器等应用的理想选择。