STL160N3LLH6

STL160N3LLH6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI技术和DeepGATE工艺制造。该器件采用表面贴装PowerFlat（5x6）封装，专为高功率密度和高效散热的应用场景而设计，其紧凑的封装形式在提供强大电流处理能力的同时，优化了PCB布局空间。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和17.5A漏极电流条件下，其Rds(on)最大值仅为1.3毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率，尤其适用于大电流开关应用。其栅极电荷（Qg）最大值控制在61.5nC @ 4.5V，结合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)），有助于实现快速开关并降低驱动电路的功率需求，从而优化整体开关性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取此型号及相关技术资源。

在电气参数方面，STL160N3LLH6具备30V的漏源击穿电压（Vdss），在壳温（Tc）条件下可支持高达160A的连续漏极电流，最大功率耗散为136W。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。器件的工作结温范围宽广，从-55°C延伸至175°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，平衡了开关速度与电磁干扰（EMI）性能。

凭借其高电流能力、低导通电阻和优异的开关特性，这款MOSFET非常适合作为同步整流器、电机驱动控制、DC-DC转换器中的主开关管，尤其是那些空间受限但对效率和热管理要求极高的应用，如服务器电源、电动工具和汽车辅助系统等。其PowerFlat封装也使其成为高密度电源模块和板载电源设计的理想选择。

• 型号:STL160N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6375 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取STL160N3LLH6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL160N3LLH6是ST意法半导体基于STripFET VI和DeepGATE技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用PowerFlat（5x6）表面贴装封装，在紧凑的尺寸内实现了卓越的功率处理能力，其核心卖点包括极低的导通电阻（1.3mΩ @ 10V）和高达160A（Tc）的连续漏极电流，旨在最大限度地降低传导损耗并提升功率密度。

该MOSFET的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于实现高效的快速开关操作，降低开关损耗。其30V的漏源电压（Vdss）和宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应要求高可靠性和高效率的严苛应用环境，如高密度DC-DC转换和电机驱动控制。