STL160N4F7

STL160N4F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F7技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心设计聚焦于降低功率损耗，通过精密的单元结构优化，在紧凑的封装内实现了高电流处理能力与优异的热性能，为高效率功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的导通电阻表现，在10V栅极驱动电压、16A漏极电流条件下，典型值仅为2.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）被控制在29nC（@10V）的较低水平，结合2300pF的输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并提升系统整体效率。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了稳健的驱动兼容性。其结温范围覆盖-55°C至175°C，并采用热增强型表面贴装封装，确保了在严苛环境下的可靠运行。

在电气参数方面，STL160N4F7具备40V的漏源击穿电压（Vdss），在壳温（Tc）条件下可支持高达120A的连续漏极电流，最大功率耗散为111W。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，提供了明确的导通门槛。这些参数共同定义了一个适用于中低电压、大电流场景的高性能开关解决方案。对于需要可靠供应链与技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其低Rds(on)、快速开关能力以及PowerFlat（5x6）封装带来的优异散热性能和节省空间的优势，此器件非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的领域。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动控制（如电动工具、无人机）、电池保护与管理系统，以及各类需要高效功率开关的工业电源和车载低压转换器。其设计旨在帮助工程师优化系统能效，减小解决方案尺寸，并提升终端产品的可靠性。

• 型号:STL160N4F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:111W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL160N4F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在40V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够处理高达120A（Tc）的连续漏极电流，并展现出极低的导通电阻，典型值仅为2.5毫欧（@10V， 16A），这使其在导通状态下的功率损耗显著降低。

此外，该MOSFET具备快速的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）为29nC（@10V），有助于实现高效率的功率转换。器件采用热性能优异的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在高功率密度应用中的稳定性和可靠性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高效DC-DC转换器等应用的理想选择。