STL17N3LLH6

STL17N3LLH6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI技术和DeepGATE工艺制造。该器件设计用于在紧凑的封装内实现高效率的功率开关，其核心架构通过优化的单元密度和沟槽栅极设计，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而在开关速度与导通损耗之间取得了出色的平衡。其30V的漏源击穿电压（Vdss）和高达17A的连续漏极电流（Id）能力，使其成为中低电压、大电流应用的理想选择。

该MOSFET的功能特点突出体现在其卓越的开关性能上。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至4.5毫欧（在8.5A条件下），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，结合最大仅为17nC（在4.5V条件下）的栅极总电荷（Qg），意味着器件具备快速开关能力和较低的驱动功率需求，有助于简化栅极驱动电路的设计。其输入电容（Ciss）为1690pF，与低Qg特性协同，进一步优化了高频开关性能。

在接口与参数方面，STL17N3LLH6采用表面贴装型PowerFlat（3.3x3.3）封装。这种封装不仅提供了优异的散热性能，其紧凑的占板面积也使其非常适用于空间受限的现代电子设备。器件的栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了足够的驱动裕量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过正规的ST代理商渠道，仍可获取库存或寻找合适的替代方案以满足既有设计需求。

基于其技术参数，STL17N3LLH6非常适合应用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括同步整流、DC-DC转换器中的负载开关、电机驱动控制以及电池保护电路。其低导通电阻和高电流处理能力，使其在服务器电源、通信设备、电动工具和便携式电子产品的电源管理模块中能够有效降低能量损耗，提升整体系统能效和功率密度。

• 型号:STL17N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL17N3LLH6是ST意法半导体基于STripFET VI和DeepGATE技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件在30V漏源电压下可支持高达17A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为4.5毫欧，这显著降低了导通状态下的功率损耗。

此外，器件具备优异的开关特性，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC，结合较低的栅极阈值电压，确保了快速、高效的开关动作，有助于提升开关电源等应用的频率和效率。该MOSFET采用紧凑的PowerFlat（3.3x3.3）表面贴装封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于对空间和热管理有严格要求的高密度功率设计。