STL18N65M2

STL18N65M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过精细的单元结构和创新的工艺技术，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

这款MOSFET具备650V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业电源、电机驱动等应用中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为8A，结合低至365毫欧（典型值，条件为4A, 10V）的导通电阻，意味着在导通期间能够有效降低功率损耗，减少发热。其栅极驱动设计友好，最大驱动电压（Vgs）为±25V，而阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力和稳定的开启特性。

在动态性能方面，STL18N65M2展现了MDmesh M2系列的优势。栅极总电荷（Qg）最大值仅为21.5nC（@10V），配合764pF（@100V）的输入电容（Ciss），共同构成了快速的开关能力，有助于降低开关损耗，并允许使用更小、更经济的驱动电路。其采用表面贴装型的PowerFlat HV（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，最大结温（Tj）高达150°C，在57W（Tc）的功率耗散能力下，确保了器件在苛刻环境中的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

得益于其高耐压、高效率和高可靠性的特点，该器件非常适用于要求严苛的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、照明应用的电子镇流器、工业电机驱动与逆变器、以及不间断电源（UPS）系统。在这些场景中，它能够有效提升系统能效等级，减小散热器尺寸，最终帮助设计者实现更紧凑、更高效的电源解决方案。

• 型号:STL18N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:365 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:764 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取STL18N65M2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL18N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh M2产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，提供了650V的漏源电压（Vdss）额定值和8A的连续漏极电流（Id）能力，专为高效功率转换而设计。

其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至365毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值21.5nC）确保了快速的开关速度，从而有效控制开关损耗。器件采用热增强型的PowerFlat HV表面贴装封装，支持高达150°C的结温，为高功率密度应用提供了可靠的解决方案。