STL19N60DM2

STL19N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻（R_DS(on)）与低栅极电荷（Q_g）的出色平衡。其核心在于DM2代沟槽栅技术，通过精细的单元结构和工艺优化，显著降低了单位面积的导通损耗和开关损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的显著特性体现在其优异的动态与静态性能上。其漏源击穿电压（V_DSS）高达600V，确保了在工业级AC-DC电源及电机驱动等高压环境下的可靠隔离与工作。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为11A，结合低至320毫欧（典型值@10V V_GS， 5.5A I_D）的导通电阻，有效降低了通态功率损耗。同时，其栅极总电荷（Q_g）典型值仅为21nC（@10V V_GS），这意味着驱动电路所需的开关能量更低，有助于提升系统开关频率并降低驱动损耗，对于追求高功率密度和效率的设计至关重要。

在接口与参数方面，该器件采用表面贴装的PowerFlat HV（8x8）封装，这种封装具有极低的热阻和寄生电感，有利于散热和优化高频开关性能。其栅极驱动电压（V_GS）标准为10V，最大耐受电压为±25V，阈值电压V_GS(th)最大为5V，提供了宽裕且稳定的驱动窗口。最大结温（T_J）为150°C，配合90W（Tc）的功率耗散能力，赋予了其良好的热管理潜力。用户在选择时，可通过专业的ST芯片代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借600V的耐压等级、优异的开关特性与导通性能，STL19N60DM2非常适用于需要高可靠性和高效率的功率电子应用场景。其典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动和变频器的逆变桥臂，以及照明领域的LED驱动和电子镇流器等。尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术特性和设计思路对于理解高压MOSFET的选型与在类似拓扑结构中的应用仍具有重要的参考价值。

• 型号:STL19N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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STL19N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，旨在为高压应用提供卓越的能效表现。

其核心参数包括600V的漏源电压（V_dss）和11A（Tc）的连续漏极电流额定值，确保了在严苛环境下的稳定运行。关键优势在于极低的导通电阻（R_DS(on)最大值320mΩ）与栅极电荷（Q_g典型值21nC）的组合，这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，有助于提升整体系统效率。器件采用PowerFlat HV表面贴装封装，优化了热性能和空间利用率，适用于高功率密度设计。