STL260N4F7

作为ST意法半导体STripFET F7系列中的一员，STL260N4F7是一款采用先进功率MOSFET技术的N沟道器件，其核心架构基于优化的垂直沟槽设计。这种设计显著降低了单元密度，从而在相同的芯片面积内实现了更低的导通电阻（R_DS(on)）和更优的开关性能。该芯片采用PowerFlat（5x6）封装，这种创新的表面贴装型封装不仅提供了卓越的热性能，有助于将热量从结温（T_J）高达175°C的芯片高效导出，还大幅减小了PCB板上的占位面积，非常适合高密度电源布局。

该器件在电气性能上表现突出，其漏源击穿电压（V_DSS）为40V，能够满足多种中低压应用场景的耐压需求。最关键的参数之一是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和24A漏极电流条件下，R_DS(on)最大值仅为1.1毫欧。这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，器件在25°C壳温（T_C）下的连续漏极电流（I_D）高达120A，配合188W的最大功率耗散能力，赋予了其强大的电流处理与功率承载潜力。

在动态特性方面，STL260N4F7同样经过优化。其栅极电荷（Q_g）在10V条件下最大值为72nC，结合适中的输入电容（C_iss），有助于实现快速的开关切换并降低栅极驱动电路的损耗。其栅源阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，而栅源电压（V_GS）可承受±20V，这为驱动电路的设计提供了充足的裕量和灵活性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细资料、样品及采购服务。

凭借其优异的综合性能，该MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。其主要应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流及功率转换模块、电动工具和无人机的高效电机驱动控制器，以及汽车电子系统中的辅助驱动和负载开关。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）也确保了其在恶劣环境下的稳定性和可靠性，是工程师设计下一代高效能电源解决方案的理想选择。

• 型号:STL260N4F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:188W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取STL260N4F7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL260N4F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽技术和PowerFlat（5x6）封装，在40V的漏源电压（V_DSS）下，能够提供高达120A的连续漏极电流，并实现极低的1.1毫欧导通电阻，显著降低了功率损耗。

其优化的动态参数，如72nC的栅极电荷和5000pF的输入电容，确保了快速高效的开关性能。该器件设计用于表面贴装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，结合188W的功率处理能力，使其成为高密度、高效率电源转换和电机驱动应用的可靠核心元件。