STL26N60DM6

STL26N60DM6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在为高压开关应用提供卓越的性能平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的乘积，即优值（FOM），从而在开关效率和导通损耗之间实现了出色的折衷。

该器件具备多项关键特性，使其在高压环境中表现突出。其600V的漏源击穿电压（V_DSS）确保了在工业级AC-DC转换和电机驱动等应用中的高可靠性。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压（V_GS）和7.5A漏极电流（I_D）条件下，其导通电阻典型值低至215毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Q_G）最大值仅为24nC（@10V），结合940pF的输入电容（C_iss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于简化栅极驱动电路设计并提升开关频率。

在接口与参数方面，该MOSFET采用表面贴装型PowerFlat HV（8x8）封装。这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其封装热阻低，允许在高达150°C的结温（T_J）下工作，最大功率耗散为110W（基于壳温T_C）。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.75V，并支持±25V的栅源电压，提供了足够的噪声容限和驱动灵活性。连续漏极电流在壳温条件下额定为15A。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品及相关设计资源。

得益于其高压、低损耗和高开关频率的潜力，STL26N60DM6非常适合应用于要求严苛的功率转换领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主逆变级、工业电机驱动和变频器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器的功率开关部分。在这些应用中，它能够有效提升能效等级，减小系统体积，并增强在高温、高功率密度环境下的长期运行稳定性。

• 型号:STL26N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:215 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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STL26N60DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM6产品系列。该器件采用先进的PowerFlat HV（8x8）表面贴装封装，核心参数包括600V漏源电压（V_DSS）和15A的连续漏极电流（I_D），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至215毫欧（@7.5A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_G，最大值24nC @10V）和输入电容（C_iss）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为追求高能效和高功率密度设计的理想选择。