STL26N65DM2

STL26N65DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心设计理念在于通过改进的单元结构和外延层工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了优异的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）能力，为高压应用提供了坚实的可靠性基础。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、10A电流条件下典型值仅为206mΩ，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热。此外，栅极电荷（Qg）最大值控制在35.5nC，结合1480pF的输入电容（Ciss），意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率，从而减小系统中磁性元件的体积和成本。

在接口与参数方面，STL26N65DM2采用±25V的最大栅源电压（Vgs）规格，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力。器件采用表面贴装型的PowerFlat HV（8x8）封装，这种封装具有优异的热性能和低寄生电感，其结壳热阻低，支持高达140W（Tc）的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适合在恶劣环境下稳定运行。用户可以通过官方授权的ST代理商获取完整的技术支持和供应链服务。

得益于其高性能指标，该器件非常适合要求高效率和高功率密度的应用场景。它广泛应用于开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等新能源领域。其快速开关特性和高耐压能力使其成为构建现代高效能、紧凑型功率转换解决方案的理想选择。

• 型号:STL26N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:206mOhm @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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STL26N65DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了可靠的开关基础。

其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至206mΩ @ 10A，有效降低了导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大35.5nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有利于提升系统效率和工作频率。器件采用热增强型PowerFlat HV表面贴装封装，支持140W的功率耗散和-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于高密度、高可靠性的电源设计。