STL2N80K5

作为ST意法半导体SuperMESH5产品系列中的一员，STL2N80K5是一款采用先进平面工艺技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的单元结构设计，通过降低单元密度和优化电荷平衡，实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地减少寄生电容，从而提升开关性能，这对于高频开关应用中的效率至关重要。

该MOSFET具备一系列显著的功能特性。其800V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，使其在离线式电源等存在电压尖峰的应用中表现出高可靠性。在导通特性方面，其在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）是其另一大亮点，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，使得开关电源能够在更高频率下高效运行，有助于缩小磁性元件的尺寸。

在电气参数与封装方面，STL2N80K5在25°C壳温下可连续通过2A电流，最大功耗为33W。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力，而±30V的最大栅源电压则提供了坚固的栅极保护。该器件采用表面贴装型的PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其底部裸露的散热焊盘能有效将芯片产生的热量传导至PCB，提升系统整体的散热能力。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。如需获取详细的技术支持与供货信息，可以咨询专业的ST中国代理。

基于其高耐压、快速开关和高效散热的特性，STL2N80K5非常适用于需要高效率和功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及家用电器中的电机控制。在这些应用中，它能够帮助设计工程师实现更小体积、更高效率的电源解决方案。

• 型号:STL2N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.9 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:95 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:33W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取STL2N80K5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL2N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH5技术平台。该器件核心优势在于其800V的高漏源耐压与优化的动态特性相结合，为高压开关应用提供了可靠的性能基础。

其技术参数体现了高效能设计：2A的连续漏极电流与较低的导通电阻确保了较低的导通损耗。同时，极低的栅极电荷（典型值3nC）和输入电容显著降低了开关损耗，支持更高频率的开关操作，有助于提升电源系统的功率密度。器件采用热增强型表面贴装PowerFlat封装，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够在紧凑空间和严苛环境下稳定工作。