STL31N65M5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STL31N65M5是一款采用先进MDmesh V技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，旨在实现极低的导通损耗和开关损耗，其核心在于通过创新的单元结构和工艺，在保持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。这一架构使得器件在高压开关应用中能够兼顾效率与可靠性，为电源系统的性能提升提供了坚实的基础。

在功能特性上，STL31N65M5展现出卓越的电气性能。其漏源击穿电压（V_DSS）高达650V，确保了在工业级AC-DC变换等高压环境下的稳定工作。器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值极低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，其优化的栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）特性，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关频率，从而允许使用更小的磁性元件，实现电源设计的小型化。其工作结温高达150°C，提供了宽裕的热设计余量。

该MOSFET采用表面贴装型PowerFlat 8x8 HV封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其低热阻特性使得芯片产生的热量能够高效地传递至散热系统，支持高达125W（T_C）的功率耗散。关键参数包括：在壳温（T_C）条件下连续漏极电流（I_D）可达15A，栅源阈值电压（V_GS(th)）典型值便于驱动控制，以及高达±25V的栅源电压（V_GS）容限，增强了抗干扰能力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、高效、高可靠性的特点，STL31N65M5非常适用于要求严苛的功率转换场合。其主要应用场景包括服务器和电信设备的开关电源（SMPS）、工业电机驱动和变频器中的功率因数校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及各类照明镇流器。在这些领域中，它能够有效提升系统效率，降低温升，并有助于实现更紧凑、更可靠的终端产品设计。

• 型号:STL31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta），15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:162 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1865 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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STL31N65M5是ST意法半导体MDmesh V系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的垂直架构技术。该器件额定漏源电压为650V，在10V栅极驱动下具备低导通电阻特性，有效降低了导通损耗。其优化的栅极电荷和输入电容参数，有助于实现高效率的快速开关操作。

器件采用热性能优异的PowerFlat 8x8 HV表面贴装封装，支持高达125W（T_C）的功率耗散和150°C的工作结温，确保了在高功率密度应用中的可靠性。其15A（T_C）的连续漏极电流能力和坚固的设计，使其成为工业电源、电机驱动和新能源逆变器等高压、高频开关应用的理想选择。