STL35N6F3

STL35N6F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极结构，通过精细的单元设计和工艺控制，在单位芯片面积内实现了更低的导通电阻与栅极电荷乘积（R_DS(on) × Q_G），这一核心架构显著提升了功率转换效率与开关性能。其设计旨在满足现代电源管理应用对高功率密度和低损耗的严苛要求，是高效能功率开关解决方案的关键组成部分。

在功能特性方面，该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达35A的连续漏极电流（I_D）能力，为中等电压范围的应用提供了坚实的电流处理基础。其导通电阻（R_DS(on)）在10V栅极驱动电压下典型值极低，最大值仅为22毫欧（@3A），这意味着在导通状态下产生的传导损耗被控制在很低的水平，有助于提升系统整体能效。器件支持±20V的宽栅源电压（V_GS）范围，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。其结温（T_J）工作范围覆盖-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。

该器件采用表面贴装型的PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其热阻特性使得在配合适当散热设计时，器件能够耗散高达80W（T_C）的功率。对于需要可靠供应链与技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取相关的产品资料、应用支持以及库存信息。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能参数，使其在诸多既有设计和特定需求场景中仍具参考价值。

基于其电气参数与封装特性，STL35N6F3非常适用于需要高效率开关和紧凑布局的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力使其成为同步整流、负载开关及电机控制中理想的高侧或低侧开关选择，特别是在空间受限但对散热和效率有要求的应用场合。

• 型号:STL35N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 35A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL35N6F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，核心优势在于其优异的导通特性与开关性能平衡。

其主要技术规格包括60V的漏源电压（V_DSS）和35A的连续漏极电流（I_D）处理能力。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为22毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。器件采用热性能出色的PowerFlat表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于对功率密度和可靠性要求较高的应用场景。