STL40N75LF3

作为STripFET III系列的一员，STL40N75LF3是一款采用先进沟槽栅工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，这是通过优化的单元密度和沟槽设计来实现的，有效平衡了开关性能与导通损耗。该器件采用了热性能优异的PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有极低的热阻和紧凑的占板面积，有助于在空间受限的应用中实现高效散热。

该MOSFET的显著特性体现在其卓越的电气参数上。其最大导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、20A电流条件下仅为19毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）在5V驱动下最大值为12nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。其漏源电压（Vdss）为75V，连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达40A，提供了稳健的功率处理能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了在苛刻环境下的可靠性。

在接口与控制方面，STL40N75LF3设计为标准电压等级驱动，其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大为1V，且栅源电压（Vgs）最大额定值为+20V/-16V，兼容常见的3.3V、5V及更高幅值的控制器输出，便于电路设计。其输入电容（Ciss）在25V条件下最大为1300pF，结合低Qg特性，有助于简化栅极驱动电路的设计并减少开关振铃。

凭借其低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能，这款器件非常适合用于需要高效率和高功率密度的场合。典型应用包括DC-DC转换器（如同步整流、降压或升压拓扑）、电机驱动（如电动工具、无人机电调）、电池保护电路以及各类电源管理模块。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品，以确保原装正品和完整的应用支持。

• 型号:STL40N75LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 40A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL40N75LF3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET III产品系列。该器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，在紧凑的尺寸下提供了优异的散热能力。

其核心优势在于极低的功率损耗。该MOSFET具备75V的漏源电压（Vdss）和高达40A（Tc）的连续漏极电流处理能力。关键参数方面，其在10V Vgs、20A Id条件下的导通电阻（Rds(on)）最大值仅为19毫欧，同时在5V Vgs下的栅极电荷（Qg）最大值低至12nC。这种低Rds(on)与低Qg的出色组合，使其能够同时实现高效率的功率传输与快速的开关切换。

因此，STL40N75LF3非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用，如开关电源、电机控制和电池管理系统等。