STL47N60M6

STL47N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这对于提升开关频率和降低开关损耗至关重要，使其在高频开关应用中表现出优异的动态性能。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）提供了坚固的电压裕量，适用于市电整流后高压环境下的可靠运行。在导通特性方面，器件在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）典型值极低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，优化的栅极电荷（Qg）参数有助于简化驱动电路设计，并减少开关过程中的驱动损耗。其采用表面贴装型PowerFlat HV（8x8）封装，该封装具有优异的热性能和低寄生电感，有利于高功率密度设计并提升系统可靠性。

在电气参数上，STL47N60M6在壳温（Tc）条件下可支持高达31A的连续漏极电流，最大功耗为189W。其栅极阈值电压（Vgs(th)）设计合理，确保了抗干扰能力和驱动的便利性。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。这些参数共同定义了一款适用于高效、高可靠性功率转换场景的半导体开关。对于需要正品保障和稳定供货的客户，可以通过官方ST授权代理进行采购与技术咨询。

凭借其技术优势，该器件主要面向需要高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）应用，如服务器电源、通信电源、工业电源以及光伏逆变器中的功率级。此外，它也适用于电机驱动、照明镇流器以及各类需要高速开关的功率转换电路中，是工程师实现高性能、紧凑型电源解决方案的理想选择之一。

• 型号:STL47N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 31A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 15.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:189W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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STL47N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用PowerFlat HV（8x8）表面贴装封装，核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和31A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（RDS(on)）表现出色，有助于降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）参数提升了开关速度并减少了驱动损耗。这些特性使其非常适用于追求高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）、电机驱动及逆变器等功率转换场景。