STL4LN80K5

STL4LN80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在为高电压开关应用提供卓越的能效与可靠性。其核心优势在于通过创新的单元结构和制造工艺，在维持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），从而有效减少了导通损耗，提升了系统整体效率。

该MOSFET具备800V的高漏源击穿电压（V_DSS），使其能够从容应对工业电源、照明系统等场合中常见的电压应力和开关尖峰。其导通电阻在10V栅极驱动电压、1.2A漏极电流条件下典型值仅为2.6欧姆，结合极低的栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss），共同实现了快速开关特性和低驱动损耗，有助于简化栅极驱动电路设计并提升开关频率。器件在25°C壳温下可连续通过3A电流，最大功耗为38W，其宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C）确保了在苛刻环境下的稳定运行。

在物理封装上，STL4LN80K5采用了表面贴装型的PowerFlat VHV（5x6）封装。这种紧凑型封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的引脚框架和裸露焊盘设计还提供了出色的散热性能，有利于功率耗散。对于需要可靠供应链和技术支持的国内设计项目，可以通过官方授权的ST中国代理获取该器件及相关设计资源。

综合其高压能力、高效率与小型化封装，这款MOSFET非常适用于要求高功率密度和可靠性的应用领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关电路、LED照明驱动、工业电机控制辅助电源以及家用电器中的功率转换模块。其稳健的性能使其成为工程师在开发下一代高效能、紧凑型电力电子设备时的优选功率开关解决方案。

• 型号:STL4LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:110 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:38W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL4LN80K5是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat VHV封装的N沟道高压功率MOSFET。该器件隶属于先进的MDmesh K5产品系列，其核心特性包括高达800V的漏源电压（V_DSS）和3A的连续漏极电流（I_D）能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

得益于MDmesh K5技术，该器件在10V栅极驱动下实现了优异的导通电阻（R_DS(on)）性能，同时具备极低的栅极电荷和输入电容。这些参数共同优化了开关性能，降低了开关损耗和驱动需求。其紧凑的表面贴装封装结合38W的功率耗散能力，有效支持了高功率密度设计。该器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境条件下的稳定性和可靠性。