STL4P3LLH6

STL4P3LLH6是ST意法半导体推出的一款采用先进工艺的P沟道功率MOSFET。该器件基于STripFET H6技术平台，并集成了DeepGATE特性，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，在紧凑的封装内实现了高功率处理能力与高效率的平衡，为设计工程师提供了高功率密度的解决方案。

在电气特性方面，该器件具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和4A的连续漏极电流(Id)能力。其导通电阻(Rds(on))表现尤为突出，在10V栅源电压(Vgs)和2A漏极电流条件下，最大值仅为56毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷(Qg)最大值在4.5V Vgs下仅为6nC，结合较低的输入电容(Ciss)，确保了快速高效的开关切换，有助于提升系统整体效率并降低开关损耗。

该MOSFET的栅极驱动设计灵活，其阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V，且驱动电压范围覆盖4.5V至10V，与常见的逻辑电平及微控制器GPIO口兼容性好，便于驱动电路设计。器件采用热增强型的表面贴装PowerFlat (2x2)封装，不仅占板面积小，其优异的散热特性也支持高达2.4W的功率耗散，结合高达150°C的结温(Tj)额定值，保证了其在严苛环境下的可靠运行。如需获取样品或批量采购，可通过官方授权的ST代理商进行咨询。

凭借其低导通电阻、快速开关和紧凑封装等综合优势，STL4P3LLH6非常适用于空间受限且对效率要求高的应用场景。典型应用包括便携式设备的负载开关、电源管理单元(PMU)中的功率路径控制、低压DC-DC转换器的同步整流或高端开关，以及电机驱动、电池保护电路等领域，是提升系统能效和功率密度的理想选择。

• 型号:STL4P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:639 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
• 封装/外壳:6-PowerWDFN
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STL4P3LLH6是ST意法半导体生产的一款P沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET H6和DeepGATE技术的产品系列。该器件在30V的漏源电压(Vdss)下可提供4A的连续电流，其关键优势在于极低的导通损耗，在10V Vgs条件下导通电阻(Rds(on))最大值仅为56毫欧。

此外，该器件具备优异的开关特性，其栅极电荷(Qg)低至6nC，有助于实现高效率的功率转换。它采用热性能出色的PowerFlat (2x2)表面贴装封装，支持高达2.4W的功耗和150°C的结温，为高密度、高可靠性的电源管理应用提供了紧凑而高效的解决方案。