STL50DN6F7

作为ST意法半导体STripFET系列中的一员，STL50DN6F7是一款采用先进工艺制造的双N沟道功率MOSFET，其核心架构旨在实现高效率与高功率密度。该器件采用独特的PowerFLAT封装技术，将两个独立的MOSFET通道集成于一个紧凑的8-PowerVDFN封装内，这种设计不仅优化了芯片内部的布局以减少寄生参数，还显著提升了散热性能，为高功率应用提供了坚实的物理基础。其沟道设计经过优化，能够在宽泛的工作温度范围内保持稳定的电气特性。

该芯片的功能特点突出表现在其优异的开关性能与导通特性上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（RDS(on)）典型值低至11毫欧，这一关键参数直接决定了导通损耗的大小，对于提升系统整体效率至关重要。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为17nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。其漏源击穿电压（Vdss）为60V，连续漏极电流（Id）在壳温条件下可达57A，确保了在严苛工况下的可靠性与鲁棒性。

在接口与参数方面，STL50DN6F7提供了标准逻辑电平兼容的栅极阈值电压，最大值4V @ 250A，便于与主流控制器直接接口。其输入电容（Ciss）最大值为1035pF，结合低Qg特性，共同构成了其快速动态响应的基础。该器件采用表面贴装形式，便于自动化生产，其工作结温范围极宽，从-55°C延伸至175°C，最大功耗为62.5W，展现了出色的热管理潜力。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取原厂正品和技术支持。

基于其双通道、低导通电阻、快速开关及高功率处理能力，STL50DN6F7非常适用于对空间和效率有严格要求的同步整流、电机驱动、DC-DC转换器以及各类电源管理模块。在服务器电源、工业自动化设备、电动工具和汽车辅助系统等领域，它能够有效降低系统损耗，提升功率密度，是实现高性能、高可靠性电源解决方案的关键元器件之一。

• 型号:STL50DN6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 57A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):57A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1035pF @ 30V
• 功率 - 最大值:62.5W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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STL50DN6F7是ST意法半导体推出的一款双N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET产品系列。该器件采用先进的PowerFLAT封装，在紧凑的8-PowerVDFN外形中集成了两个独立的MOSFET通道，专为高功率密度和高效率应用而设计。

其核心电气参数表现卓越，具备60V的漏源电压（Vdss）和高达57A（Tc）的连续漏极电流能力。关键特性包括极低的导通电阻（典型11mΩ @ 10V）和极小的栅极电荷（最大17nC @ 10V），这共同确保了较低的导通损耗和出色的高频开关性能，有助于提升整体系统效率。

该MOSFET的工作结温范围宽广（-55°C ~ 175°C），最大功耗为62.5W，采用表面贴装形式，适用于要求严苛的工业与汽车电子环境，是同步整流、电机驱动和高效DC-DC转换器等应用的理想选择。