STL5N80K5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STL5N80K5是一款采用先进MDmesh K5技术的N沟道功率MOSFET。该器件构建于优化的垂直架构之上，通过创新的单元设计和工艺改进，在单位面积内实现了更低的导通电阻与更优的开关性能平衡。其核心在于显著降低了栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这对于提升高频开关应用的效率至关重要，同时保持了高耐压特性。

在功能表现上，STL5N80K5具备800V的漏源击穿电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id）能力，为离线电源转换提供了坚实的电压余量与电流处理基础。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、2A电流条件下典型值仅为1.75欧姆，较低的导通损耗有助于提升系统整体能效。更值得关注的是其极低的栅极电荷（典型值5nC @ 10V）和输入电容（典型值177pF @ 100V），这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，使得开关电源能够在更高频率下稳定工作，从而缩小磁性元件的体积。

该器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）VHV封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其最大结温（Tj）可达150°C，在良好散热设计下能支持高达38W的功率耗散。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±30V的电压，增强了应用的鲁棒性。对于需要高可靠性、高效率电源解决方案的设计师而言，通过正规的ST代理渠道获取此产品，能确保其原厂品质与技术支持。

基于其高耐压、低损耗和快速开关的特性，STL5N80K5非常适用于要求苛刻的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源。它在这些应用中能够有效提升功率密度和能源效率，是开发紧凑型、高性能AC-DC电源产品的理想选择。

• 型号:STL5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:38W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL5N80K5是意法半导体基于其MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心特性在于其800V的漏源电压（Vdss）与3A的连续漏极电流（Id）额定值，结合仅为1.75欧姆的低导通电阻（Rds(on)），为高压开关应用提供了高效的电能传输路径。

其技术优势突出体现在动态性能上，极低的栅极电荷（5nC）和输入电容（177pF）显著降低了开关损耗，支持更高频率的操作，有助于实现电源系统的小型化。器件采用热增强型PowerFlat VHV表面贴装封装，工作结温范围达-55°C至150°C，确保了在紧凑空间内仍具备可靠的功率处理能力和散热性能。