STL60N10F7

作为ST意法半导体旗下STripFET VII系列与DeepGATE技术平台的重要成员，STL60N10F7是一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现极低的导通损耗与卓越的开关性能，通过优化的单元设计和先进的制造工艺，在紧凑的封装内实现了高功率密度与高效率的平衡，为现代电源和电机驱动应用提供了坚实的半导体基础。

该器件在功能上表现出色，其漏源电压（Vdss）高达100V，能够稳定工作在多种中压应用环境中。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达46A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下，最大值仅为18毫欧，这一极低的Rds(on)值直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为25nC @ 10V，结合1640pF @ 50V的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，STL60N10F7设计有宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温），确保了其在严苛环境下的可靠性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力。该器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，这种封装不仅提供了优异的散热性能（最大功率耗散在壳温下可达72W），还显著减小了PCB占板面积，有利于实现更紧凑的终端产品设计。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理进行采购与咨询。

基于其优异的电气性能和封装优势，STL60N10F7非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括但不限于DC-DC转换器、电机驱动控制（如电动工具、无人机电调）、服务器和通信设备的电源模块、电池管理系统（BMS）以及各类高效的开关电源。在这些应用中，它能够有效提升系统整体能效，减少热量产生，并帮助工程师设计出更小巧、更可靠的电力电子解决方案。

• 型号:STL60N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），72W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL60N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进沟槽技术的STripFET VII产品系列。该器件额定电压为100V，在25°C壳温下可连续通过46A电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值18mΩ @ 10V, 6A）和较低的栅极电荷（25nC @ 10V），这共同确保了在高频开关应用中实现低导通损耗与低开关损耗，从而提升系统整体效率。

器件采用热性能优异的表面贴装PowerFlat（5x6）封装，支持高达175°C的结温工作，并提供72W（Tc）的最大功率耗散能力，兼顾了高功率密度与可靠性。这些特性使其成为电机驱动、DC-DC转换器及各类紧凑型高效电源设计的理想选择。