STL64DN4F7AG

STL64DN4F7AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的双N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET F7技术平台，并符合汽车级AEC-Q101标准。该器件采用紧凑的8-PowerVDFN（PowerFLAT）封装，专为高功率密度和高效热管理的应用场景而设计。其核心架构基于意法半导体成熟的垂直沟槽工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻与优异的开关性能平衡，为工程师提供了可靠的功率开关解决方案。

该芯片集成了两个独立的N沟道MOSFET，每个通道在25°C（壳温）条件下可连续承受高达40A的漏极电流，漏源击穿电压（Vdss）为40V。其关键特性在于极低的导通电阻（RDS(on)），在10V栅极驱动电压和20A漏极电流条件下，最大值仅为8.5毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在9.8nC（@10V），输入电容（Ciss）最大值为637pF（@25V），这些优化的开关参数有助于减少驱动损耗和开关延迟，使得器件在高频开关应用中也能保持出色的性能。

在接口与参数方面，器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V（@250A），提供了良好的噪声抑制能力。其最大功耗（Tc）为57W，结合PowerFLAT封装优异的散热特性，能够有效管理热负荷。工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定性和长寿命，完全满足汽车电子及工业应用对可靠性的高要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关技术支持。

得益于其高性能与高可靠性，STL64DN4F7AG非常适合应用于空间受限且对效率要求苛刻的领域。典型应用包括汽车系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、DC-DC转换器中的同步整流和功率开关，以及各类工业电源管理模块。其表面贴装形式也适配于自动化生产线，有助于降低制造成本并提升产品一致性。

• 型号:STL64DN4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:637pF @ 25V
• 功率 - 最大值:57W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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STL64DN4F7AG是意法半导体基于STripFET F7技术制造的一款汽车级（AEC-Q101）双N沟道功率MOSFET。该器件采用8-PowerVDFN（PowerFLAT）封装，在40V的漏源电压下，每个通道可提供高达40A的连续电流承载能力。

其核心优势在于极低的导通电阻（典型值8.5mΩ @ 10V, 20A）与优化的开关特性（栅极电荷仅9.8nC），这显著降低了导通和开关损耗，提升了电源转换效率。结合-55°C至175°C的宽工作结温范围以及优异的封装散热性能，使其成为要求高可靠性、高功率密度设计的理想选择，尤其适用于汽车电机驱动和高效DC-DC转换器等应用。