STL6NM60N

STL6NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，这一核心架构使其在高压开关应用中能够兼顾效率与开关速度。其内部集成的快速恢复体二极管进一步增强了其在感性负载下的可靠性，为设计人员提供了一个坚固且高效的功率开关解决方案。

该MOSFET的显著特性包括高达600V的漏源击穿电压（Vdss）和5.75A的连续漏极电流能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）保持在较低水平，这意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快的开关频率并降低驱动损耗，特别适合高频开关电源设计。

在电气参数方面，STL6NM60N的栅极阈值电压（Vgs(th)）设计合理，确保了良好的噪声免疫能力和可控的开启特性。其栅源电压（Vgs）可承受±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。器件采用表面贴装型的PowerFLAT（5x5）封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其封装底部的裸露焊盘便于将热量高效传导至PCB，结合高达70W（Tc）的功率耗散能力，使其能在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作。对于需要可靠供应链支持的批量项目，可以咨询专业的ST中国代理以获取器件库存、技术支持及合规认证方面的服务。

凭借其高压、低损耗及快速开关的特性，STL6NM60N非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升电源转换效率，减小系统体积，并增强产品的可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态，但在许多现有设备和备件维修市场中，它仍然是一个具有参考价值的高性能功率器件选择。

• 型号:STL6NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL6NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和5.75A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率处理基础。

其技术优势体现在优异的动态特性上，例如较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这有助于实现高速开关并降低驱动损耗。同时，在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻（Rds(on)），有效减少了导通期间的功率耗散。器件采用热增强型的表面贴装PowerFLAT封装，确保了良好的散热能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换系统。