STL85N6F3

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STL85N6F3是一款采用先进STripFET技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，在紧凑的物理尺寸内实现了高功率密度，专为要求高效率和高可靠性的开关应用而设计。其核心架构基于优化的垂直沟槽工艺，通过降低单元尺寸和优化电荷平衡，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的关键权衡关系，从而在开关性能和传导损耗方面取得了优异表现。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压、8.5A电流条件下，Rds(On)最大值仅为5.7毫欧。这一特性直接转化为更低的通态损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在60nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗并简化栅极驱动电路的设计。器件具备60V的漏源电压（Vdss）额定值和高达85A（Tc）的连续漏极电流能力，提供了宽裕的电压与电流裕量，确保在严苛工况下的稳定运行。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，并支持高达80W（Tc）的功率耗散，展现了强大的热性能。

在接口与参数层面，STL85N6F3的栅极驱动电压（Vgs）范围为±20V，最大阈值电压Vgs(th)为2V @ 250A，这为设计者提供了灵活的驱动电压选择空间，并确保了良好的抗干扰能力。其表面贴装的PowerFlat封装不仅优化了散热路径，有助于将芯片产生的热量高效传导至PCB，还显著节省了电路板空间。用户可以通过官方授权的ST代理获取完整的技术资料、样品支持与供应链服务。

凭借其高性能指标，该器件非常适用于对效率和功率密度有严格要求的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和高端/低端开关，特别是在服务器电源、通信基础设施和工业电源模块中。它也适用于电机驱动控制、电池保护电路以及各类需要高效功率开关的汽车电子子系统（需注意其停产状态，适用于现有设计维护或特定库存应用）。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为管理高功率负载的理想选择。

• 型号:STL85N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL85N6F3是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用PowerFlat（5x6）表面贴装封装，在紧凑的尺寸内集成了60V的漏源电压（Vdss）额定值和高达85A（Tc）的连续漏极电流处理能力。

其核心技术优势在于实现了优异的性能平衡：最大导通电阻（Rds(On)）低至5.7毫欧 @ 10V，有效降低了传导损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为60nC @ 10V，有利于实现高速开关并减少驱动损耗。这些特性使其成为提升开关电源和功率转换系统效率的关键元件。