STL90N3LLH6

作为ST意法半导体DeepGATE和STripFET VI产品系列中的一员，STL90N3LLH6是一款采用先进沟槽栅工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的卓越平衡，这对于提升开关电源的效率和功率密度至关重要。该器件采用热性能优异的PowerFlat（5x6）封装，提供了紧凑的表面贴装解决方案，同时确保了高效的散热能力。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通损耗，在10V栅极驱动电压（V_GS）和12A漏极电流条件下，其导通电阻典型值低至4.5毫欧。配合较低的栅极电荷（典型值17nC @ 4.5V），使得开关过程中的导通与开关损耗都得到了有效控制，特别适合高频开关应用。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为1V，且驱动电压范围宽（最大±20V），确保了与主流控制器良好的兼容性和驱动的简易性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。

在电气参数方面，STL90N3LLH6拥有30V的漏源击穿电压（V_DSS），在壳温（T_C）条件下可连续通过高达90A的电流，最大功耗为60W。其输入电容（C_iss）典型值为1690pF，这些参数共同定义了其在苛刻条件下的稳健性能。宽广的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应工业级和汽车级环境下的温度波动，保证了系统的长期可靠性。

基于其高性能表现，STL90N3LLH6主要面向高效率、高功率密度的DC-DC转换器设计，如同步整流、电机驱动中的H桥以及各类负载开关。它在服务器电源、通信基础设施、电动工具和汽车辅助系统（如LED照明驱动、泵控制）等应用中，能够有效降低系统能耗和温升，是实现紧凑型、高效率电源解决方案的关键功率开关元件。

• 型号:STL90N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 90A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL90N3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI技术和PowerFlat（5x6）封装。其核心优势在于极低的导通电阻（4.5毫欧 @ 10V, 12A）与栅极电荷（17nC @ 4.5V）的出色组合，旨在最大限度地降低导通和开关损耗，从而提升整体能效。

该器件额定漏源电压为30V，在壳温条件下连续漏极电流可达90A，功耗为60W。其设计支持宽栅极驱动电压范围（±20V），并具备较低的栅极阈值电压，确保了与标准逻辑电平控制器的兼容性和快速开关能力。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高频DC-DC转换器等要求高效率和高功率密度应用的理想选择。