STL9N3LLH5

作为ST意法半导体STripFET V产品家族的一员，STL9N3LLH5是一款采用先进沟槽栅工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerFlat（3.3x3.3）封装，专为高功率密度和高效散热的应用而优化。其核心架构基于STripFET V技术，该技术通过精细的单元结构和优化的沟槽设计，在降低芯片面积的同时，显著降低了导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g），从而实现了更低的传导损耗和开关损耗，提升了整体能效。

在功能特性上，该MOSFET展现出卓越的性能平衡。其漏源击穿电压（V_DSS）为30V，适用于低压直流电源环境。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（I_D）可达9A，具备出色的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压下典型值极低，最大值仅为19毫欧（@ 4.5A），这直接转化为更低的功率耗散和更高的效率。此外，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.5V，且栅极总电荷（Q_g）在4.5V驱动下仅为5nC，这使得它能够被微控制器或逻辑电平信号轻松、快速地驱动，简化了驱动电路设计，并有助于实现更高的开关频率。

在接口与关键参数方面，该器件支持最大±22V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕量。其输入电容（C_iss）在25V漏源电压下最大为724pF，较低的电容值进一步减少了开关过程中的动态损耗。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。表面贴装的PowerFlat封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热特性也支持高达2W（环境温度）或50W（壳温）的功率耗散。对于需要可靠供应链支持的批量项目，可以通过授权的ST一级代理获取详细的技术支持和供货信息。

基于其高性能和紧凑封装，STL9N3LLH5非常适合空间受限且对效率要求高的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、笔记本电脑和台式机的电源管理模块、低压电机驱动控制、以及各类便携式设备中的电池保护与功率分配电路。其快速开关特性和低导通电阻使其成为提升系统整体能效和功率密度的理想选择。

• 型号:STL9N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:724 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取STL9N3LLH5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL9N3LLH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V系列。该器件采用先进的沟槽工艺和紧凑的PowerFlat（3.3x3.3）封装，在30V的漏源电压（V_DSS）下，能够持续处理高达9A（T_C）的电流，其最大导通电阻低至19毫欧（@ 4.5A, 10V），有效降低了传导损耗。

其核心优势在于优异的开关性能与驱动便利性的结合。极低的栅极电荷（5nC @ 4.5V）和适中的栅极阈值电压（最大2.5V）确保了快速开关并兼容逻辑电平驱动，有助于提升开关电源的频率和效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和优化的封装散热设计，使其能够满足严苛环境下的高可靠性要求，是空间受限型高效功率转换应用的理想解决方案。