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STM32WB55RGV7

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射频和无线 > 射频收发器 IC
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC RF TXRX+MCU 802.15.4 68VFQFPN
原厂封装:封装:68-VFQFPN(8x8)
优势价格,STM32WB55RGV7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STM32WB55RGV7的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

意法半导体推出的STM32WB55RGV7是一款面向物联网边缘节点设计的超低功耗、双核无线微控制器。该芯片采用创新的双核架构,集成了一个基于Arm Cortex-M4内核的应用处理器和一个基于Arm Cortex-M0+内核的专用网络处理器。这种设计实现了射频协议栈的物理隔离运行,将复杂的无线协议处理任务交由M0+内核独立负责,而主应用处理器(M4)则能专注于用户应用程序,从而显著提升系统响应效率与实时性,并简化了应用开发流程。

在功能层面,STM32WB55RGV7集成了符合蓝牙5.0标准、Thread和Zigbee协议的2.4GHz射频收发器,支持高达2Mbps的数据速率。其射频性能优异,输出功率可达6dBm,接收灵敏度为-100dBm,确保了可靠的无线通信连接与覆盖范围。芯片内置了丰富的存储资源,包括1MB的闪存和256KB的SRAM,为复杂的多协议应用和OTA(空中升级)功能提供了充足的代码空间。其超低功耗特性尤为突出,接收电流低至4.5mA,发射电流根据功率设置介于5.2mA至12.7mA之间,配合1.71V至3.6V的宽电压供电范围,非常适合由电池长期供电的便携式设备。

该器件提供了全面的外设接口以连接各类传感器与执行器,包括IC、SPI、UART/USART以及全速USB接口,并配备了多达49个GPIO引脚,极大地增强了系统扩展的灵活性。其工作温度范围覆盖-40°C至105°C,采用68引脚VFQFN表面贴装封装,能够适应严苛的工业环境。对于需要稳定供货与技术支持的开发者,可以通过官方授权的ST代理商获取该芯片及相关开发工具。

基于其强大的双核处理能力、集成的多协议无线连接以及卓越的能效比,STM32WB55RGV7非常适合应用于智能家居设备(如传感器、开关、照明控制)、可穿戴设备、工业无线传感器网络、资产跟踪标签以及需要蓝牙Mesh、Zigbee或Thread组网功能的各类物联网终端产品,是构建下一代低功耗、高可靠性互联设备的理想核心平台。

  • 型号:STM32WB55RGV7
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:68-VFQFPN(8x8)
  • 类目:射频和无线 > 射频收发器 IC
  • 描述:IC RF TXRX+MCU 802.15.4 68VFQFPN
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 类型:TxRx + MCU
  • 射频系列/标准:802.15.4,蓝牙
  • 协议:蓝牙 v5.3,Thread,Zigbee
  • 调制:GFSK
  • 频率:2.405GHz ~ 2.48GHz
  • 数据速率(最大值):2Mbps
  • 功率 - 输出:6dBm
  • 灵敏度:-100dBm
  • 存储容量:1MB 闪存,256kB SRAM
  • 串行接口:ADC,I2C,SPI,UART,USART,USB
  • GPIO:49
  • 电压 - 供电:1.71V ~ 3.6V
  • 电流 - 接收:4.5mA ~ 7.9mA
  • 电流 - 传输:5.2mA ~ 12.7mA
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:68-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:68-VFQFPN(8x8)
  • 想获取STM32WB55RGV7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STM32WB55RGV7是ST意法半导体推出的一款有源、超低功耗双核无线微控制器,属于射频收发器IC系列。它采用TxRx + MCU的集成设计,核心架构包含一个Arm Cortex-M4应用处理器和一个专用于射频协议栈的Cortex-M0+处理器,实现了应用与网络任务的物理隔离与高效协同。

该芯片支持蓝牙5.0、Thread和Zigbee多协议,工作于2.402GHz至2.48GHz频段,数据速率最高2Mbps,具备6dBm输出功率和-100dBm接收灵敏度,确保了稳健的无线连接。其内置1MB闪存和256KB SRAM,提供包括IC、SPI、UART/USART、USB在内的丰富串行接口及49个GPIO,系统供电电压范围为1.71V至3.6V,并展现出优异的低功耗特性(接收电流4.5mA~7.9mA,发射电流5.2mA~12.7mA),工作温度范围达-40°C至105°C,采用68-VFQFN表面贴装封装。

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