STN1NK80Z

STN1NK80Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH系列高压功率MOSFET。该器件采用先进的垂直DMOS结构，其核心在于优化的单元设计和外延层工艺，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。这种架构使得器件在承受高达800V的漏源电压时，依然能保持稳定的性能，特别适合在高压开关环境中工作。

在功能特性方面，该MOSFET展现了卓越的电气性能。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、500mA漏极电流条件下典型值仅为16欧姆，有助于降低导通损耗，提升整体能效。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为7.7nC，结合160pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中所需的驱动能量较低，有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，提供了较强的抗干扰能力。

从接口与参数来看，该器件采用表面贴装的SOT-223封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其额定连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下为250mA，最大功耗为2.5W。阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了与常见逻辑电平或控制器输出的良好兼容性。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应严苛的工业环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品。

基于其高压、低栅极电荷和紧凑封装的特点，STN1NK80Z非常适用于需要高效高压开关的应用场景。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）中的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及家用电器中的辅助电源。其稳健的设计使其成为对空间、效率和可靠性均有要求的工业与消费电子产品的理想选择。

• 型号:STN1NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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STN1NK80Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道高压MOSFET，采用SOT-223表面贴装封装。其核心优势在于高达800V的漏源击穿电压（Vdss）与优化的开关特性相结合，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值为16欧姆，最大栅极电荷（Qg）仅为7.7nC。

这些参数共同确保了器件在高压环境下具备低导通损耗和快速的开关速度，有助于提升电源系统的整体效率。其250mA的连续漏极电流能力和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，使其能够满足紧凑型、高效率离线电源及工业控制应用中对可靠性和性能的严格要求。