STN2580

STN2580是ST意法半导体推出的一款高性能NPN双极性晶体管（BJT），采用紧凑的表面贴装SOT-223封装。该器件基于成熟的硅基工艺，其核心架构旨在实现高压、中电流条件下的稳定与高效运行。集电极-发射极击穿电压高达400V，使其能够在严苛的电压环境中保持可靠的阻断能力，同时集电极最大连续电流为1A，为设计提供了充足的电流裕量。

在功能特性上，该晶体管展现出优异的电气性能。其直流电流增益（hFE）在典型工作点（Ic=250mA, Vce=5V）下不低于60，确保了良好的信号放大与控制效率。其饱和压降特性尤为突出，在Ic=1A、Ib=200mA的条件下，Vce(sat)最大值仅为1V，这意味着在导通状态下功率损耗较低，有助于提升整体系统的能效。此外，集电极截止电流（ICBO）最大值控制在10A的极低水平，有效降低了器件的静态功耗，提升了关断状态下的绝缘性能。

在接口与参数方面，STN2580采用标准的TO-261-4（SOT-223）封装，便于自动化贴装并节省PCB空间。其最大功耗为1.6W，结合高达150°C的结温（TJ）工作范围，赋予了其出色的热稳定性和环境适应性，能够应对工业级应用中的温度波动。对于需要可靠元器件供应的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取原装正品和技术支持。

凭借400V的高耐压、1A的电流能力以及低饱和压降等特性，该器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、电子镇流器、电机驱动电路中的预驱动级，以及需要高压开关或线性放大的工业控制设备。其稳健的设计使其成为要求高可靠性和长寿命的消费电子、工业自动化及照明系统中功率控制部分的理想选择。

• 型号:STN2580
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 400V 1A SOT-223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1V @ 200mA，1A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:10A（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:60 @ 250mA，5V
• 功率 - 最大值:1.6 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 供应商器件封装:SOT-223
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STN2580是ST意法半导体生产的一款NPN型双极性晶体管，采用SOT-223表面贴装封装。其核心优势在于高达400V的集射极击穿电压和1A的集电极连续电流能力，为高压开关和驱动应用提供了坚实的基础。

该器件在提供高耐压的同时，保持了良好的导通特性，其饱和压降最大值仅为1V（@1A），有助于降低导通损耗。直流电流增益（hFE）最小值60确保了有效的电流放大与控制。最大功耗1.6W和150°C的结温工作范围，使其能够适应要求严苛的工业环境，是电源管理、电机控制和照明驱动等领域的可靠解决方案。