STN3N45K3

STN3N45K3是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH3系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺和优化的单元结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构通过精细的栅极设计和优化的掺杂剖面，有效控制了电场分布，从而在450V的额定漏源电压下，依然能保持稳健的可靠性。这种设计理念使得器件在关断状态下能够承受高压应力，同时在导通时提供高效的电流路径。

该MOSFET的功能特点突出体现在其优异的开关性能与功率处理能力上。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、500mA漏极电流条件下典型值仅为3.8欧姆，这有助于显著降低导通损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为6nC，结合150pF的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量低，能够实现快速开关，减少开关过渡过程中的损耗，非常适用于高频开关应用。其栅源电压（Vgs）最大可承受±30V，提供了宽裕的驱动安全裕度。

在接口与关键参数方面，STN3N45K3提供了全面的电气规格保障。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达600mA，最大功率耗散为3W（环境温度Ta条件下），结合高达150°C的结温（TJ）工作范围，确保了器件在严苛环境下的稳定运行。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，属于标准逻辑电平兼容范围，便于与常见的控制器接口。该器件采用表面贴装型的SOT-223封装，在提供良好散热性能的同时，也节省了PCB空间，为紧凑型设计提供了便利。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以咨询ST中国代理获取详细信息。

基于其450V的高压能力和高效的开关特性，STN3N45K3非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧，如反激式转换器中的主开关管。此外，它也常见于LED照明驱动、家用电器辅助电源、工业控制中的低功率电机驱动以及功率因数校正（PFC）电路等场景。在这些应用中，其低导通电阻和快速开关能力有助于实现高功率密度和高效率的设计目标，是工程师构建可靠、节能的功率电子系统的优选器件之一。

• 型号:STN3N45K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V 600MA SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:164 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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STN3N45K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用SOT-223表面贴装封装。其核心规格包括450V的漏源击穿电压（Vdss）和600mA的连续漏极电流（Id），为高压、小电流应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至3.8欧姆，有助于最小化导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大6nC）和输入电容（Ciss，最大150pF）确保了快速、高效的开关操作，从而降低开关损耗。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的离线式电源、LED驱动及辅助电源等应用的理想选择。