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STN851-A的图片

STN851-A

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 60V 5A SOT-223
原厂封装:封装:SOT-223
优势价格,STN851-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STN851-A的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STN851-A是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能NPN双极性晶体管(BJT),采用紧凑的表面贴装封装。该器件基于成熟的硅基工艺,其核心架构旨在实现高电流处理能力与快速开关特性的平衡。集电极-发射极击穿电压高达60V,使其能够在多种电压环境中稳定工作,而集电极电流最大值达到5A,为驱动电机、继电器或作为电源开关中的功率级提供了充足的电流余量。

该晶体管的功能特点突出表现在其优异的饱和特性与电流增益上。在200mA基极电流和5A集电极电流的条件下,其集电极-发射极饱和压降典型值仅为500mV,这意味着在导通状态下具有较低的功率损耗,有助于提升系统整体效率。直流电流增益(hFE)最小值在2A集电极电流和1V集电极-发射极电压下为150,提供了良好的电流放大能力,能够有效驱动后级负载,同时减少对前级控制信号的电流需求。其跃迁频率为130MHz,确保了在中等频率的开关应用或放大电路中能够保持良好的信号响应。

在接口与关键参数方面,STN851-A采用TO-261-4(也称为SOT-22)封装,非常适合高密度PCB布局。其最大功耗为1.6W,结合高达150°C的结温(TJ)工作范围,赋予了其可靠的鲁棒性和热稳定性。极低的集电极截止电流(ICBO最大50nA)保证了在关断状态下的高阻抗特性,有效降低了静态功耗。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取正品器件和技术支持。

该器件的典型应用场景广泛,尤其适用于需要中功率处理的场合。例如,在DC-DC转换器中作为开关元件,在音频功率放大器的输出级作为驱动管,或用于工业控制板中的负载开关和电机驱动电路。其平衡的电压、电流和频率参数,使其成为消费电子、汽车电子辅助系统以及工业自动化设备中一个通用且可靠的选择。

  • 型号:STN851-A
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-223
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 60V 5A SOT-223
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:最后售卖
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):60 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 200mA,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):150 @ 2A,1V
  • 功率 - 最大值:1.6 W
  • 频率 - 跃迁:130MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商器件封装:SOT-223
  • 想获取STN851-A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STN851-A是ST意法半导体生产的一款表面贴装NPN双极性晶体管。其核心特性包括60V的集射极击穿电压和5A的最大集电极电流,能够胜任多种中功率开关与放大任务。

该器件在性能上表现出色,其集射极饱和压降低至500mV(@200mA, 5A),有助于降低导通损耗。同时,其直流电流增益(hFE)最小值高达150(@2A, 1V),确保了高效的电流驱动能力。130MHz的跃迁频率和1.6W的最大功耗,使其在频率响应与功率处理之间取得了良好平衡,适用于电源管理、电机驱动及通用放大电路。

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