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| STO65N60DM6的报价和技术资料 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商 |
STO65N60DM6的图片

STO65N60DM6

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：ST(意法半导体)
功能简述：N-CHANNEL 600 V, 67 MOHM TYP., 4
原厂封装：封装:TOLL（HV）
优势价格，STO65N60DM6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STO65N60DM6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 型号:STO65N60DM6
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TOLL（HV）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:N-CHANNEL 600 V, 67 MOHM TYP., 4
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:76 毫欧 @ 23A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65.2 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:320W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TOLL（HV）
  • 封装/外壳:8-PowerSFN
  • 想获取STO65N60DM6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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