STO67N60DM6

作为ST意法半导体MDmesh DM6系列中的一员，STO67N60DM6是一款采用先进超结技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的垂直DMOS结构，并结合了MDmesh DM6代的专有技术，该技术通过在漂移区引入深沟槽和电荷平衡结构，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关性能和雪崩耐量。这种架构设计使得器件在高压应用中能够实现更低的传导损耗和开关损耗，是提升系统效率的关键。

该器件在600V的漏源电压（Vdss）下，能够提供高达33A的连续漏极电流（Tc=25°C），展现出强大的功率处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、23.75A电流条件下典型值仅为59毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的通态损耗，对于要求高效率的功率转换应用至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在72.5nC（@10V），较低的栅极电荷有助于降低驱动损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而简化电路设计并提升开关频率。

在接口与参数方面，STO67N60DM6采用TOLL（HV）表面贴装封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其功率耗散最大值可达150W（Tc）。其栅源电压（Vgs）支持±25V的最大范围，提供了足够的驱动裕量。阈值电压Vgs(th)最大值为4.75V（@250A），确保了良好的噪声免疫能力。输入电容（Ciss）在100V Vds下最大为3400pF，这些参数的平衡设计使其在开关速度与电磁干扰（EMI）控制之间取得了良好折衷。用户可通过官方ST代理获取详细的技术支持和样品。

凭借其高压、大电流、低损耗和可靠的性能，该MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动和焊接设备等功率转换系统。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也保证了其在恶劣环境下的稳定运行，是工程师设计高性能、高可靠性电力电子设备的优选功率开关器件。

• 型号:STO67N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TOLL（HV）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 33A TOLL
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:59 毫欧 @ 23.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TOLL（HV）
• 封装/外壳:8-PowerSFN
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STO67N60DM6是STMicroelectronics推出的MDmesh DM6系列N沟道功率MOSFET，采用先进的超结技术，在600V漏源电压（Vdss）和33A连续漏极电流（Id）的规格下，实现了优异的性能平衡。

其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值59mΩ @ 10V, 23.75A）和优化的栅极电荷（Qg最大值72.5nC @ 10V），这直接转化为更低的传导与开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件采用热性能优异的TOLL（HV）表面贴装封装，支持高达150W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在高功率密度应用中的可靠性与稳定性。