STP100N8F6

STP100N8F6是ST意法半导体基于其先进的STripFET F6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心设计通过精细的单元几何结构优化和先进的硅加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了稳健的栅极控制特性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至9毫欧（在50A条件下测量），这一超低导通电阻特性是其最突出的优势，直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Q_g）典型值为100nC，结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速开关并降低开关损耗，特别适用于高频应用。器件具备80V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达100A的连续漏极电流（I_D）承载能力，提供了宽裕的电压与电流设计余量。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，并采用经典的TO-220封装，确保了良好的热管理能力和通孔安装的机械可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

在接口与参数层面，STP100N8F6的阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，栅源电压（V_GS）可承受±20V，增强了驱动的便利性和抗干扰能力。其输入电容（C_iss）典型值为5955pF，是评估其开关动态特性的关键参数之一。该器件在25°C壳温下的最大功率耗散为176W，这一参数与封装的热阻特性共同决定了其在应用中的实际散热需求。

凭借其高性能指标，STP100N8F6非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场合。其主要应用场景包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动与控制系统（如伺服驱动器、变频器中的逆变桥臂）、DC-DC转换器以及不间断电源（UPS）中的功率开关部分。在这些应用中，其低R_DS(on)和高电流处理能力能够有效降低系统温升，提升整体可靠性和能效比。

• 型号:STP100N8F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5955 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:176W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP100N8F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F6产品系列。该器件采用TO-220通孔封装，核心优势在于其极低的导通损耗与强劲的电流处理能力。

其关键参数包括80V的漏源电压（V_DSS）和高达100A的连续漏极电流（I_D）。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为9毫欧（@50A），这直接确保了在高电流应用中的高效能。同时，100nC的典型栅极电荷（Q_g）有助于实现快速的开关切换，降低动态损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应苛刻的环境要求。