STP105N3LL

STP105N3LL是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VI和DeepGATE技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷之间的最佳平衡。其核心架构通过精细的单元设计和先进的沟槽工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了出色的开关性能，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电气性能。在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，它能够支持高达80A（Tc）的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、40A Id条件下典型值仅为3.5毫欧，这一极低的导通损耗直接转化为更低的功率耗散和更高的效率。同时，其栅极驱动设计友好，最大栅源电压（Vgs）为±20V，而栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，确保了与常见逻辑电平或驱动IC的兼容性。其栅极电荷（Qg）在4.5V Vgs时最大值为42nC，较低的Qg值有助于降低开关损耗，实现更高频率的开关操作，这对于开关电源（SMPS）和电机驱动等应用尤为重要。

在接口与热管理方面，STP105N3LL采用经典的TO-220通孔封装，便于安装和散热。其最大功率耗散为140W（Tc），结合高达175°C的结温（TJ）工作能力，赋予了器件出色的热稳定性和可靠性，使其能够在苛刻的环境下持续稳定运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电流、低损耗和快速开关的特性，STP105N3LL非常适合应用于对效率和功率密度要求较高的场景。典型应用包括同步整流、DC-DC转换器中的高边或低边开关、电机驱动控制（如电动工具、无人机电调）、电池保护电路以及各类工业电源系统。在这些应用中，它能够有效降低系统温升，提升能效比，是实现紧凑、高效功率解决方案的关键元器件。

• 型号:STP105N3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP105N3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进DeepGATE和STripFET VI技术的产品系列。该器件设计用于30V电压环境，在壳温（Tc）条件下可承载高达80A的连续漏极电流，展现出强大的功率处理能力。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅源电压、40A漏极电流条件下，导通电阻最大值仅为3.5毫欧，这直接带来了更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）为42nC（@4.5V），有助于实现快速的开关切换并降低开关损耗。器件采用TO-220通孔封装，最大功率耗散为140W（Tc），工作结温高达175°C，确保了在严苛应用中的可靠性与热稳定性。