STP10LN80K5

STP10LN80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5系列技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了800V的高漏源击穿电压（Vdss）与极低的导通电阻（Rds(on)）之间的出色平衡。其核心在于第二代超级结（Super-Junction）技术的演进，通过精密的电荷平衡工艺，显著降低了单位面积下的导通损耗和栅极电荷，为高效率、高频率的开关应用奠定了坚实的物理基础。

在功能特性上，这款MOSFET展现出卓越的性能。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、4A漏极电流条件下典型值仅为630毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷（Qg）低至15nC（@10V），配合适中的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于简化驱动电路设计并提升开关频率。器件具备±30V的宽栅源电压（Vgs）耐受范围，增强了应用的鲁棒性。其采用经典的TO-220通孔封装，在壳温（Tc）条件下可支持8A的连续漏极电流和高达110W的功率耗散，结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

从接口与参数角度看，STP10LN80K5是一款标准的三引脚（漏极、源极、栅极）电压控制型开关器件。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V（@100A），确保了良好的噪声免疫能力和明确的导通/关断状态。优异的动态参数组合低Qg、低Rds(on)和高Vdss，使其在需要处理高压的功率转换拓扑中表现出色。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高压、低损耗和快速开关的特性，STP10LN80K5非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动和逆变器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升电源系统的功率密度和整体能效，是工程师设计高性能、高可靠性功率电子系统的优选功率开关解决方案之一。

• 型号:STP10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP10LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合了低至630毫欧的导通电阻（Rds(on)）和仅15nC的栅极电荷（Qg），实现了高压处理能力与低开关/导通损耗的优异平衡。

其设计支持8A的连续漏极电流和110W的功率耗散能力（Tc），采用坚固的TO-220通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C。这些参数使其成为要求高效率和高可靠性的高压开关应用的理想选择，例如开关电源和功率转换系统。