STP10N105K5

STP10N105K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时维持了出色的开关特性，为高压开关应用提供了高效的半导体解决方案。

该MOSFET具备一系列突出的功能特性。其额定漏源电压（Vdss）高达1050V，使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）等高压环境。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心优化，有助于减少开关过程中的能量损失，提升开关频率，从而允许使用更小的磁性元件，有助于系统的小型化设计。其封装采用工业标准的TO-220，提供了良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大功耗可达130W，并支持-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了在苛刻环境下的可靠运行。

在接口与关键参数方面，STP10N105K5定义了明确的操作边界。其连续漏极电流（Id）在Tc条件下为6A，栅源电压（Vgs）最大值为±30V，阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，这些参数为驱动电路的设计提供了清晰的指导。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。这些精确的参数使其能够无缝集成到各种功率拓扑中。

基于其高耐压、低损耗和稳健的封装特性，STP10N105K5非常适合应用于对效率和可靠性要求极高的领域。其主要应用场景包括工业开关电源（SMPS）、服务器和电信设备的电源单元、照明用电子镇流器、以及不间断电源（UPS）系统。在这些应用中，它常被用作主开关管或PFC电路中的开关元件，有效提升整机能效并简化热管理设计。

• 型号:STP10N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP10N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220通孔封装，专为高压、高效率的功率转换应用而设计。

其核心优势在于高达1050V的漏源击穿电压（Vdss）与经优化的低导通电阻特性，在10V Vgs、3A Id条件下，Rds(on)最大值仅为1.3欧姆。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在21.5nC，有助于实现快速的开关动作并降低驱动损耗。该MOSFET在管壳温度下的连续漏极电流（Id）为6A，最大功耗为130W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和长寿命。