STP10NK80ZFP

STP10NK80ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在有效管理高电压应用中的电场分布，从而确保器件在800V的漏源电压（Vdss）下仍能保持稳定的工作特性，这为开关电源和电机驱动等高压环境提供了可靠的半导体解决方案。

在功能特性方面，这款MOSFET展现了卓越的性能。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、4.5A电流条件下典型值仅为900毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被显著降低，有助于提升整体系统的能效。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在72nC，结合适中的输入电容，使得开关过程中的驱动损耗得以优化，有利于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路的设计。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度。

从电气参数与物理接口来看，STP10NK80ZFP在25°C壳温（Tc）下可连续通过9A的漏极电流，最大功率耗散为40W。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了良好的噪声免疫能力。该器件采用标准的TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，便于在PCB上实现稳固的机械固定和高效的热管理，其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工业环境。对于需要确保元器件供应链可靠性的客户，通过ST授权代理进行采购是获得正品保障和支持的推荐途径。

基于其高压、低损耗和坚固的封装特性，STP10NK80ZFP非常适用于需要高效功率转换和控制的场合。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动和逆变器，以及UPS（不间断电源）系统。在这些应用中，它能够有效处理高电压总线，同时通过降低导通和开关损耗来提升系统整体效率与功率密度。

• 型号:STP10NK80ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP10NK80ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件设计用于高压环境，其核心电气规格包括800V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下9A的连续漏极电流能力，为功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至900毫欧（@4.5A），有助于最小化导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大值72nC）和输入电容特性，确保了快速、高效的开关行为，有利于提升系统频率并降低驱动需求。器件采用TO-220FP通孔封装，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于要求高可靠性的工业级应用。