STP110N8F6

STP110N8F6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220通孔封装，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能平衡。其内部架构通过优化的单元设计和工艺，显著降低了栅极电荷和导通电阻，这对于提升系统效率、降低热损耗至关重要，尤其在高频开关应用中表现优异。

该MOSFET具备80V的漏源击穿电压（Vdss）和高达110A的连续漏极电流（Id）承载能力，展现了强大的功率处理性能。其最突出的特性之一在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、55A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为6.5毫欧。这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升电源转换效率并简化散热设计。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在150nC（@10V），结合适中的输入电容，确保了快速、高效的开关切换，减少了开关过程中的能量损失，这对于开关电源和电机驱动等应用至关重要。

在电气参数方面，STP110N8F6的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，标准栅极驱动电压为10V，最大栅源电压可承受±20V，提供了稳健的驱动兼容性和一定的安全裕度。其结温工作范围宽广，从-55°C延伸至175°C，最大功率耗散能力为200W（基于壳温），确保了器件在严苛环境下的可靠运行。TO-220封装形式兼顾了优异的导热性能和便于手工焊接或自动化插装的便利性，是工业级应用的经典选择。

凭借其高电流、低阻抗和快速开关的特性，该器件非常适合用于要求高效率和高功率密度的场合。典型应用包括DC-DC转换器（如同步整流、降压/升压拓扑）、电机驱动与控制（如电动工具、工业电机、无人机电调）、不间断电源（UPS）以及电池保护与管理系统。对于需要稳定供货和技术支持的批量项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障产品正品与供应链可靠性的重要途径。

• 型号:STP110N8F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 110A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9130 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP110N8F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F6产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其80V的漏源电压和高达110A的连续漏极电流处理能力，能够胜任高功率应用场景。

其技术亮点集中体现在优异的导通与开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值低至6.5毫欧（@55A），这极大地降低了导通状态下的功率损耗。同时，150nC的栅极电荷（Qg）（最大值）确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升整体系统效率。这些参数使其成为对效率和功率密度有严苛要求的电源转换与电机驱动方案的理想选择。