STP11NK40Z

STP11NK40Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH产品系列。该器件采用成熟的平面MOSFET技术，通过优化的单元结构和制造工艺，在400V的漏源电压（Vdss）等级下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡。这种核心架构设计旨在显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效，使其在高压开关应用中表现出色。

在功能特性方面，该MOSFET在25°C壳温（Tc）下可支持高达9A的连续漏极电流，最大功率耗散为110W，展现了强大的电流处理与散热能力。其导通电阻在10V驱动电压、4.5A电流条件下典型值仅为550毫欧，确保了在导通状态下较低的电压降和功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在32nC（@10V），这有助于简化驱动电路设计，并实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失。器件栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。

从接口与关键参数来看，STP11NK40Z采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器，适合在要求高可靠性的工业环境中使用。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V（@100A），属于标准逻辑电平驱动范畴，可与多种控制器良好兼容。输入电容（Ciss）最大值为930pF，结合较低的Qg值，共同决定了其快速的动态响应特性。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛温度环境下的稳定运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

基于其400V的耐压、9A的电流能力以及优异的开关性能，STP11NK40Z非常适用于各类离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制中的逆变桥臂以及照明系统的电子镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升系统效率、增强可靠性并帮助实现更紧凑的电源设计。

• 型号:STP11NK40Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 9A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP11NK40Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于400V漏源电压（Vdss）下实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合，旨在最大限度地降低传导与开关损耗。

器件在25°C壳温下额定连续漏极电流为9A，最大功率耗散达110W。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs条件下典型值为550mΩ，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为32nC，这有助于实现高效率与快速的开关速度。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和标准的TO-220AB封装，使其能够适应严苛的工业环境要求。