STP11NM50N

作为ST意法半导体MDmesh II系列中的一员，STP11NM50N是一款采用先进垂直DMOS工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于MDmesh（多漏极网格）技术，该技术通过在硅片内部构建一个三维的网格状漏极结构，显著优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡。这种设计不仅有效降低了单位面积下的导通损耗，还通过优化的内部电荷分布，改善了器件的开关性能，使其在高压应用中能够实现更低的能量损耗和更高的效率。

该器件具备一系列出色的功能特性，其漏源击穿电压（V_DSS）高达500V，确保了在离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的可靠工作与安全裕度。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_{D）可达8.5A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、4.5A漏极电流条件下，典型值仅为470毫欧，这一低RDS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更优的温升表现。此外，栅极电荷（Qg）最大值仅为19nC，配合较低的输入电容（Ciss），意味着驱动电路的设计可以更为简化，开关速度更快，开关损耗得以进一步降低。}

在接口与关键参数方面，该器件采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以实现高达70W（T_C）的功率耗散。其栅源电压（V_GS）支持±25V的最大范围，提供了较宽的驱动安全区。阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。其宽广的结温工作范围（-55°C至150°C）使其能够适应严苛的工业环境。对于需要获取官方技术支持和供货保障的开发者，可以通过ST中国代理渠道进行咨询。

基于其高压、低损耗和高可靠性的特点，STP11NM50N非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、电机驱动与控制中的逆变器桥臂，以及不间断电源（UPS）和焊接设备中的功率转换模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在诸多现有设备和备件市场中仍具有重要价值。

• 型号:STP11NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:470 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:547 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP11NM50N的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP11NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用先进的网格状漏极结构技术，旨在优化高压应用下的效率与可靠性。

其核心电气参数包括500V的漏源电压（V_DSS）和8.5A的连续漏极电流（I_D），提供了强大的功率处理能力。关键优势在于其低导通电阻（典型值470mΩ @ 10V, 4.5A）与低栅极电荷（最大值19nC @ 10V），这两者的结合显著降低了导通与开关损耗，有助于提升整体系统效率。器件采用TO-220AB封装，支持通孔安装，便于散热管理。