STP12NK30Z

STP12NK30Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，从而在高压应用中兼顾了低导通损耗与高开关效率。

作为SuperMESH系列的一员，其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压、4.5A漏极电流条件下，典型值仅为400毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统能效。同时，该器件具备300V的高漏源击穿电压（Vdss）和9A的连续漏极电流（Id）能力，为设计提供了宽裕的电压与电流裕量，增强了系统的可靠性。其栅极电荷（Qg）最大值控制在35nC，结合670pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中所需的驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。

在电气接口与参数方面，该MOSFET的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，标准逻辑电平即可有效驱动，而栅源电压（Vgs）可承受±30V的范围，提供了良好的抗干扰能力。其采用经典的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器，在管壳温度（Tc）下最大功耗可达90W，结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了器件在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取此产品及相关设计资源。

凭借其高压、大电流、低损耗的特性，STP12NK30Z非常适用于要求高效率和高可靠性的开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器以及照明镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够有效降低系统整体功耗，提升功率密度，是工程师构建高性能功率转换系统的优选功率开关器件之一。

• 型号:STP12NK30Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:670 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP12NK30Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括300V的漏源电压（Vdss）和9A的连续漏极电流（Id），为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至400毫欧，显著降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为35nC，有利于实现高速开关并减少驱动损耗。这些特性使其在提升系统效率方面表现突出。

此外，器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功耗为90W，确保了在各类环境下的稳定性和可靠性，非常适合用于开关电源、电机驱动等对能效和鲁棒性要求较高的领域。