STP12NM50FD

STP12NM50FD是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220AB通孔封装，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其内部结构优化了单元密度和电荷平衡，使得在500V的高漏源电压（Vdss）额定值下，依然能保持较低的栅极电荷（Qg）和导通电阻（Rds(on)），这对于提升开关电源等应用的效率至关重要。

该MOSFET的显著特性包括高达12A的连续漏极电流（Id）承载能力以及低至400毫欧的导通电阻（在10V Vgs， 6A Id条件下），这直接转化为更低的传导损耗和发热量。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为12nC，有助于降低开关过程中的驱动损耗并提升开关频率潜力。器件具备±30V的宽栅源电压（Vgs）耐受范围，为驱动电路设计提供了更高的鲁棒性和灵活性。其结温（Tj）工作范围覆盖-65°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

在电气参数方面，STP12NM50FD的静态与动态特性均经过精心调校。除了前述的Rds(on)和Qg，其输入电容（Ciss）在25V Vds下最大值为1000pF，与低Qg特性共同决定了快速的开关响应。阈值电压Vgs(th)最大值为5V，提供了良好的噪声抑制能力。该器件在管壳温度（Tc）下的最大功率耗散为160W，体现了其强大的散热潜力。对于需要可靠供应链的批量项目，用户可以通过授权的ST一级代理获取完整的技术支持与供货服务。

凭借500V的耐压和12A的电流处理能力，这款MOSFET非常适用于需要高效功率转换和控制的离线式应用。其典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器、高频逆变器以及电子镇流器等。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在诸多现有设备和备件市场中仍占有一席之地，是工程师在设计或维护中高压功率系统时一个经过验证的组件选择。

• 型号:STP12NM50FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP12NM50FD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，隶属于其高性能FDmesh产品系列。该器件核心优势在于其500V的漏源击穿电压（Vdss）与12A的连续漏极电流（Id）额定值，为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合，在10V驱动电压、6A电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为400毫欧，而栅极电荷（Qg）最大值为12nC。这一特性组合有助于同时降低传导损耗和开关损耗，提升系统整体效率。器件支持±30V的栅源电压，工作结温范围宽达-65°C至150°C，确保了设计的稳健性与环境适应性。