STP13N80K5

STP13N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220通孔封装，专为高电压、高效率的功率开关应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），这是实现低导通损耗的关键。

该芯片具备出色的电气性能，其漏源击穿电压（V_DSS）高达800V，确保了在严苛的离线式电源或电机驱动环境中的高可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为12A，配合仅450mΩ（典型条件下）的低导通电阻，能够有效减少传导过程中的功率损耗，提升系统整体能效。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极总电荷（Q_g）最大值控制在29nC，这有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在动态特性方面，ST中国代理提供的技术资料显示，STP13N80K5的输入电容（C_iss）在100V偏压下最大值为870pF，结合其优化的内部结构，共同保证了快速、干净的开关特性。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其最大结温（T_J）范围为-55°C至150°C，封装形式为经典的TO-220，便于安装散热器以实现高达190W（壳温条件下）的功率耗散，满足大多数中高功率应用的热管理需求。

凭借800V的高耐压和SuperMESH5技术带来的优异R_DS(on)表现，STP13N80K5非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路、反激或正激拓扑的初级侧开关、工业电机驱动与变频器、以及不同断电源（UPS）和电子镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够帮助设计工程师在提升功率密度和系统效率的同时，确保长期运行的稳定性与耐用性。

• 型号:STP13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP13N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心参数包括800V的漏源电压（V_DSS）和12A的连续漏极电流（I_D），为高压开关应用提供了坚实的电压阻断和电流承载能力。

其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为450mΩ，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，29nC的低栅极电荷（Q_g）特性有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的开关电源、电机驱动及工业控制系统的理想功率开关选择。